全浮地式設(shè)計(jì)，具有出色的穩(wěn)定性和精確度，性價(jià)比高，具備所有基礎(chǔ)電化學(xué)以及阻抗測(cè)試功能。
● 新增IR補(bǔ)償功能、恒流阻抗測(cè)試技術(shù)
● 包含基礎(chǔ)功能和阻抗模塊，滿足大部分研究領(lǐng)域
● 全浮地模式，性價(jià)比高
● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V
● 電流控制范圍：±2.0A
● 電位分辨率：10μV，電流分辨率：1pA（可延伸至100fA）
產(chǎn)品介紹 CS電化學(xué)工作站采用全浮地式設(shè)計(jì)，具有出色的穩(wěn)定性和精確度，先進(jìn)的硬件和功能完善的軟件，為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了優(yōu)秀的科研平臺(tái)。
應(yīng)用
（1）能源材料（鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和超級(jí)電容器等）、先進(jìn)功能材料以及傳感器的性能研究；
（2）電化學(xué)分析研究；
（3）電合成、電沉積（電鍍）、陽(yáng)極氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究；
(4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)；
（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。
硬件特點(diǎn)
● 雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit /高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器
● 內(nèi)置FRA頻響分析儀，頻率范圍 10μHz ~1MHz
● 高帶寬高輸入阻抗的放大器
● 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器
● 高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)
● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V
● 電流控制范圍：±2.0A
● 電位分辨率：10μV，電流分辨率：1pA（可延伸至100fA）
軟件特點(diǎn) ① 數(shù)據(jù)分析
伏安曲線的平滑、積分和微分運(yùn)算，計(jì)算各氧化還原峰的峰電流、峰電位和峰面積等；
極化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析，計(jì)算Tafel斜率ba，bc，腐蝕電流密度icorr，極限擴(kuò)散電流、極化電阻Rp和腐蝕速率等，還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算功率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。
② 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)
CS Studio實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù)，即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷，中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。
③ 定時(shí)測(cè)量
CS Studio測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量功能， 對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí)，可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間，讓儀器在無(wú)人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量，為實(shí)驗(yàn)提供方便。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
①交流阻抗
儀器采用相關(guān)積分算法和雙通道同步過(guò)采樣技術(shù)，具有較強(qiáng)的抗干擾能力，尤其適合于涂層、混凝土等高阻體系（>109Ω）的交流阻抗測(cè)量，也可用于Mott-Schottky 曲線和微分電容曲線繪制。軟件能實(shí)時(shí)顯示開(kāi)路電位，用戶無(wú)需輸入，即可輸出準(zhǔn)確的極化過(guò)電位。
具有恒流阻抗測(cè)試功能，尤其適合于18650、軟包電池等超低阻儲(chǔ)能器件的交流阻抗測(cè)量。
②極化曲線 具有線性極化和Tafel極化曲線測(cè)量功能，用戶可設(shè)定循環(huán)極化曲線的陽(yáng)極回掃電流（鈍化膜擊穿電流），來(lái)確定材料的點(diǎn)蝕電位和保護(hù)電位，評(píng)價(jià)晶間腐蝕敏感性。軟件采用非線性擬合算法解析極化曲線，可用于材料耐蝕性和緩蝕劑性能的快速評(píng)價(jià)。
③ 伏安分析 能完成線性掃描伏安（LSV）、循環(huán)伏安（CV）等電分析方法，集成峰面積、峰電流計(jì)算和標(biāo)準(zhǔn)曲線分析功能。
④ 電化學(xué)噪聲 采用高阻跟隨器和零阻電流計(jì)測(cè)量腐蝕體系自發(fā)的電位與 電流波動(dòng)，可用于點(diǎn)蝕、電偶腐蝕、縫隙腐蝕和應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂 等局部腐蝕研究。通過(guò)噪聲譜分析，可評(píng)估亞穩(wěn)態(tài)蝕點(diǎn)或裂紋的誘導(dǎo)、生長(zhǎng)和死亡過(guò)程。基于噪聲電阻和點(diǎn)蝕指數(shù)計(jì)算，也可用于局部腐蝕監(jiān)測(cè)。
⑤全浮地測(cè)量
CS系列電化學(xué)工作站采用全浮地式工作電極，可用于工作電極本身接地體系的電化學(xué)研究，如用于高壓釜電化學(xué)測(cè)試（釜體接地），大地中金屬構(gòu)件（橋梁、混凝土鋼筋）的在線腐蝕研究等。
⑥正反饋IR補(bǔ)償
啟動(dòng)IR補(bǔ)償后，電化學(xué)工作站會(huì)增加一個(gè)額外模擬反饋路徑，通過(guò)測(cè)量電解池電流，啟用正反饋補(bǔ)償，硬件電路增加反饋信號(hào)，自動(dòng)對(duì)Rs上的壓降進(jìn)行補(bǔ)償。
⑦自定義方法
支持用戶自定義組合測(cè)量，用戶可以設(shè)定定時(shí)循環(huán)進(jìn)行某一測(cè)試方法或多種方法的組合測(cè)試，用于無(wú)人值守下的定時(shí)自動(dòng)測(cè)量；
提供API通用接口函數(shù)和開(kāi)發(fā)實(shí)例，方便用戶二次開(kāi)發(fā)和自定義測(cè)試方法；
提供用戶自定義腳本編寫范例，用于實(shí)現(xiàn)您獨(dú)特的電化學(xué)實(shí)驗(yàn)技術(shù)。
技術(shù)指標(biāo)
硬件參數(shù)指標(biāo)
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恒電位控制范圍：±10V |
恒電流控制范圍：±2.0A |
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電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV |
電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù) |
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電位靈敏度：10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) |
電流靈敏度：1pA |
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電位上升時(shí)間：﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A) |
電流量程：2nA～2A, 共10檔 |
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參比電極輸入阻抗：1012Ω||20pF |
最大輸出電流：2.0A |
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槽壓輸出：±21V |
電流掃描增量：1mA @1A/mS |
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CV和LSV掃描速度：0.001mV～10000V/s |
電位掃描電位增量：0.076mV @1V/mS |
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CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s |
DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s |
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SWV頻率：0.001～100KHz |
CV的最小電位增量：0.020mV |
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AD數(shù)據(jù)采集：16bit@3.6MHz，20bit @1KHz |
電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置 |
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DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μS |
低通濾波器 ：8段可編程 |
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通訊接口：USB2.0、RJ45網(wǎng)口 |
儀器重量：7.6Kg |
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外形尺寸（cm）：36.4(W)*32.0(D)*13.8(H) |
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電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)
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信號(hào)發(fā)生器 |
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頻率響應(yīng)：10μHz～1MHz |
交流信號(hào)幅值：1mV～2500mV |
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頻率精確度：0.005% |
信號(hào)分辨率：0.1mV RMS |
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DDS輸出阻抗：50Ω |
直流偏壓：-10V～+10V |
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正弦波失真率：<1% |
波形：正弦波，三角波，方波 |
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掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降 |
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信號(hào)分析器 |
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最大積分時(shí)間：106個(gè)循環(huán)或者105S |
測(cè)量時(shí)間延遲：0～105秒 |
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最小積分時(shí)間：10mS 或者一個(gè)循環(huán)的最長(zhǎng)時(shí)間 |
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直流偏置補(bǔ)償 |
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電位補(bǔ)償范圍：-10V～+10V |
電流補(bǔ)償范圍：-1A～+1A |
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帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào) |
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配置
1）儀器主機(jī)1臺(tái)
2) CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
3）模擬電解池1個(gè)
4）電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
5）電極電纜線1條
6）電腦（選配*）
功能方法
CS單通道系列不同型號(hào)功能方法比較
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功能方法 |
CS150M |
CS300M |
CS310M |
CS350M |
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穩(wěn)態(tài)極化 |
開(kāi)路電位（OCP） |
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恒電位極化（i-t曲線） |
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恒電流極化 |
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動(dòng)電位掃描（Tafel曲線） |
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動(dòng)電流掃描（DGP） |
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電位掃描-階躍 |
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暫態(tài)極化 |
任意恒電位階梯波 |
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任意恒電流階梯波 |
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恒電位階躍（VSTEP） |
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恒電流階躍（ISTEP） |
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計(jì)時(shí)分析 |
計(jì)時(shí)電位法（CP） |
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計(jì)時(shí)電流法（CA） |
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計(jì)時(shí)電量法（CC） |
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伏安分析 |
線性掃描伏安（LSV） |
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線性循環(huán)伏安（CV） |
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階梯循環(huán)伏安（SCV） |
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方波伏安（SWV） |
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差分脈沖伏安（DPV） |
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常規(guī)脈沖伏安（NPV） |
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差分常規(guī)脈沖伏安（DNPV） |
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交流伏安（ACV） |
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二次諧波交流伏安（SHACV） |
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傅里葉變換交流伏安（FTACV） |
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電流檢測(cè) |
差分脈沖電流檢測(cè)（DPA） |
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雙差分脈沖電流檢測(cè)（DDPA） |
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三脈沖電流檢測(cè)（TPA） |
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積分脈沖電流檢測(cè)（IPAD） |
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溶出伏安 |
電位溶出分析（PSA） |
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線性掃描溶出伏安（LSSV） |
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階梯溶出伏安（SCSV） |
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方波溶出伏安（SWSV） |
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差分脈沖溶出伏安（DPSV） |
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常規(guī)脈沖溶出伏安（NPSV） |
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差分常規(guī)脈沖溶出伏安（DNPSV） |
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交流阻抗 |
頻率掃描-電位控制模式（EIS-V） |
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頻率掃描-電流控制模式（EIS-I） |
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電位掃描（IMPE,Mott-Schotty) |
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時(shí)間掃描-電位控制模式 |
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時(shí)間掃描-電流控制模式 |
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充放電測(cè)試 |
電池充放電 |
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恒電流充放電（GCD） |
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恒電位充放電 |
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恒電位間歇滴定技術(shù)（PITT） |
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恒電流間歇滴定技術(shù)（GITT） |
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雙恒測(cè)量 |
氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT） |
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盤環(huán)電極測(cè)試 |
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擴(kuò)展測(cè)量 |
電化學(xué)噪聲（EN） |
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電偶腐蝕測(cè)量（ZRA） |
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電化學(xué)溶解/沉積 |
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控制電位電解庫(kù)倫法（BE） |
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動(dòng)電位再活化法（EPR） |
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溶液電阻測(cè)量 |
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循環(huán)極化曲線（CPP） |
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注：*氫擴(kuò)散及旋轉(zhuǎn)盤環(huán)電極測(cè)試需配置CS1002恒電位/恒電流儀或采用CS2350M雙恒電位儀。
*產(chǎn)品3年質(zhì)保。
實(shí)驗(yàn)室純水機(jī)、超純水機(jī)
實(shí)驗(yàn)室離心機(jī)
